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产品规格
封装: TO-220
批号: 新年份
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）
驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（ 值） 14 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（ 值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（ 值） 81nC @ 10V
Vgs（ 值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ 值） 1970pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（ 值） 3.8W（Ta），130W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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¥1.32
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¥0.70
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18902849330
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0755-82566826
svf2n60tt0-220t场效应管 IRFZ48N svf8n60tto-220场效应管 原装产品
¥ 0.10 ~ ¥ 0.50
- TO-220
- 新年份
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