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半导体分立器件静态参数测试仪系统

¥ 25.90万

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产品规格

可售数量： 9999套

陕西天士立科技有限公司

采通通 1 年资质认证实名企业

2年

经营年限

陕西西安

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5.7

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产品属性

半导体分立器件静态参数测试仪系统

陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on)）以及IV特性曲线等

一、产品信息及规格

产品型号：STD2000

产品名称：半导体分立器件静态参数测试仪系统

主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)

主机重量：＜35kg

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超过 4000m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

二、产品特点

三代半：的性能应对第三代半导体及传统器件，Si, sic,GaN 器件

测试品类：覆盖 25 类常见的电子元器件及 IC 类，且支持定制扩展

功能丰富：轻松表征元器件“静态特性”“IV 曲线”“Cxss”“CV”

分析筛选：功能全面，配置丰富，胜任实验室场景中各类电参数表征

量产测试：1h高达 7K~12K 的测试效率，可连接“分选机”“编带机”Prober 接口、16Bin

一键加热：一键脉冲自动加热至+130°C，耗时< 1s

高压源：1400V (选配 2KV)

高流源：40A(选配 100A,200A,500A)

驱动电压：20V/10uA~100mA (选配+40V/10uA~100mA)

漏电测量：1nA 漏电持续稳定测量，表现出的一致性和稳定性，更有1.5pA 微电流测量选件可供选择。

高精度：16 位 ADC/DAC，0.1%精度，1M/S采样速率

程控软件：基于Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面

夹具工装：适配各类封装形式的器件，自动识别器件极性 NPN/PNP

校准：系统自带校准软件，也可通过 RS232 接口连接数字表进行校验

三、测试范围

01. Diode / 二极管（稳压、瞬态、三端肖特基、TVS、整流桥、三相整流桥）

02. BJT / 三极管

03. Mosfet & JFET / 场效应管

04. SCR / 可控硅（单向/双向）

05. IGBT / 绝缘栅双极大功率晶体管

06. OC / 光耦

07. Relay / 继电器

08. Darlington tube / 达林顿阵列

09. Current sensor/电流传感器

10. 基准IC(TL431)

11. 电压复位IC

12. 稳压器（三端/四端）

13. 三端开关功率驱动器

14. 七端半桥驱动器

15. 高边功率开关

16. 电压保护器（单组/双组）

17. 开关稳压集成器

18. 压敏电阻

19.电压监控器

四、测试参数

漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、IIN(Regulator)