【IGBT静态参数测试仪STD2002】价格_批发_厂家_参数_图片_参数测量仪

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IGBT静态参数测试仪STD2002

¥ 29000.00

1套起订

产品规格

可售数量： 9999套

陕西天士立科技有限公司

采通通 1 年资质认证实名企业

2年

经营年限

陕西西安

所在地区

5.7

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产品属性

IGBT静态参数测试仪STD2002

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

测试对象：IGBT、Mosfet、Diode

测试参数：静态参数，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数

标准:《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》（GB/T29332-2012）

该测试仪具有自动保护功能，且所有参数的设定及显示均采用液晶屏触摸屏实现，支持U盘一键导出数据

IGBT静态参数测试仪STD2002

IGBT测试

IGBT测试项目

测试条件

测试结果

栅极-发射极栅

极绝缘

Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

Iges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA

精度:±3% ±0.1µA

截止电流

Vces: 100-2000V,分辨力,1 V

精度:±3% ±10V

Ices: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辩力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

阈值电压

Ice： 1-10mA，分辨力， 1mA

（可根据客户需求扩展）

Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

饱和压降

Ice: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1A

Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V

精度:±3% ±0.10V

二极管压降

If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1 A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3% ±0.10V

二极管反向电流

Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10V

Id: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

IGBT静态参数测试仪STD2002

MOSFET测试

MOSFET测试项目	测试条件	测试结果
栅极-源极绝缘	Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V	Igss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA
漏极-源极截止电流	Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V	Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA
栅极-源极阈值电压	Ids： 1-10mA，分辨力， 1mA	Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V
漏极-源极导通电阻	Ids:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A	Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR
二极管压降	If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A	Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V
二极管反向电流	Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V	Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA