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硅片抛光:为了制备符合器件和集成电路要求的硅片表面,去除残留的损伤层,获得一定厚度的高平整度镜面硅片。抛光分机械抛光、化学抛光、电子束抛光、离子束抛光,比较常用的是化学机械抛光。化学机械抛光同时是化学蚀刻和机械研磨,分为铜离子抛光、铬离子抛光和常用的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅、NAHO(或有机碱)和水配制而成的胶体抛光液。在抛光过程中,NAHO与硅表面反应生成硅酸钠,通过与二氧化硅胶体研磨,将硅酸钠放入抛光液中,两个过程同时不停顿,达到抛光的目的。根据要求,可以使用初级、二级(粗和细)或三级(粗、中、细)抛光。为了满足vlSI对表面质量和平整度的要求,开发了无蜡抛光、无磨损抛光等新工艺。
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