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产品规格
可售数量: 10000KG
硅的特性:硅具有优良的半导体电性能。带隙适中,为 1.12 电子伏特。载流子迁移率高,电子迁移率1350 cm 2/v·s,空穴迁移率480 cm 2/ v·s。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105 ohm·cm。掺杂后电阻率可控制在104~10-4欧姆·厘米的较宽范围内,可满足制造各种器件的需要。硅单晶中非平衡少数载流子的寿命很长,从几十微秒到1毫秒不等。高导热性。化学性质稳定,易形成稳定的热氧化膜。在平面硅器件的制作中,可以利用氧化膜钝化和保护PN结表面,形成金属-氧化物-半导体结构来制作MOS fET和集成电路。这些特性使PN结具有良好的特性,硅器件具有耐压高、反向漏电流低、效率高、使用寿命长、可靠性好、导热性好、可在200℃高温下工作等优点。
多晶硅回收 单晶硅回收 单晶头尾料硅块硅料回收 永旭光伏
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