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硅晶片的质量特性 1.1 厚度（T） • 在给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离称为晶片的厚度。 • 标称厚度是指硅片中心点的厚度。 • 在一系列点的厚度扫描或厚度测量中，大和小厚度之间的差值就是芯片的总厚度变化，即 TTV 值。 BOW是硅片中线面凹凸变形的量度。它是硅晶片的一种物理特性，与可能存在的任何厚度变化无关。 • 中线平面：也称为中心平面，即硅片表面的点之间等距。 • 翘曲是晶片中线与参考平面之间偏差的量度，即晶片中线与参考平面之间的大和小距离之差。它是硅晶片的一种物理特性，与可能存在的任何厚度变化无关。 • 翘曲比弯曲程度更全面地反映了硅片的变形状态。 • 1.5 直径 • 通过晶片中心且没有任何参考表面或圆周参考区域的穿过晶片表面的直线距离称为直径 • 1.6 公差 • 公差是工艺中大和小允许尺寸之间的差值。或者你可以说它是上下偏差的总和。 • 公称尺寸和大极限尺寸之间的差值称为上偏差；公称尺寸与小极限尺寸之间的差值称为下偏差。 • 1.7 污染 • 污染是指硅片表面有许多仅通过目测可见的异物的统称。 • 在大多数情况下，可以通过吹气、用清洁剂清洁或化学作用去除污染物。 • （粉末、颗粒、溶剂残留物、镊子和夹具痕迹、蜡、油和其他类型的污染物在硅片加工中很常见）。 • 污渍是一种化学污渍，如果不进一步研磨或抛光，通常无法去除。 • 1.9 破损 • 破损是指硅片表面或边缘的非穿透性缺陷。 • 完全贯穿硅片厚度区域的边缘缺陷称为缺口。 • 1.11 裂纹 • 延伸到晶片表面的解理或裂纹，可能会或可能不会穿透晶片厚度区域。 • 硅片表面机械损伤造成的痕迹，通常是长而窄的浅槽。 • 1.13 刀痕（线痕） • 硅片表面上以刀具半径为半径的一系列弯曲凹痕或凸点称为刀痕。 （线切割过程中因钢丝运动而形成的凹凸痕称为线痕。）
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