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硅片化学清洗:化学清洗是去除原子、离子看不见的污染,方法较多,有溶剂萃取法、酸洗法和等离子法。本发明的双氧水系统清洗方法效果好,环境污染小。一般的方法是用H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性溶液清洗硅片。清洗液强氧化性,将有机物分解去除;用超纯水洗涤后,H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液的组成比清洗,由于H2O2的氧化作用与NH4OH络合,与多种金属离子形成稳定的可溶性络合物,易溶于水;然后使用H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液的组成比,由于H2O2的氧化和HCL的溶解,以及氯离子的络合,许多金属生成络离子溶解在水中,从而达到清洗的目的。



放射性示踪原子分析和质谱分析结果表明,双氧水体系清洗效果好,所有化学试剂H2O2、NH4OH和HCl都能完全挥发。用H2SO4和H2O2清洗硅在硅表面每平方厘米留下约2×1010个硫原子,用后一种酸性清洗液可以完全去除。用H2O2系统清洗硅片无残留,危害较小,有利于工人的健康和环境保护。硅片清洗用每一步清洗液处理后,必须用超纯水彻底冲洗干净。




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